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文 | 半导体产业纵横

近日，高盛分析师预测，2026年HBM的价钱或将下落10%。

HBM 的订价权将从制造商升沉到以为代表的客户手中。这意味着 SK 海力士把持 80%-90% 英伟达订单的场地将不复存在。

这是SK海力士在本年被泼的第一盆冷水。

价钱下落的中枢原因是“供过于求”。

高盛暗示，跟着、SK 海力士、好意思光等巨头加快扩产，HBM 供应量将大幅跨越需求，径直压低平均销售价钱（ASP）。数据娇傲，高盛已将 2026 年 HBM 总路子商场（TAM）预测下调 13%，从 510 亿好意思元降至 450 亿好意思元，同期将增长预期从 45% 大幅下调至 25%。

对于 HBM 行将供应饱和的听说，这一经不是第一次。客岁9月，旗下证券部门Exane BNP Paribas就曾暗示预测在2025年底前，HBM产能将大幅超出需求，这将进一步打压价钱。

那么这次预测是否招是生非？来岁 HBM 商场是否会迎来价钱的急转直下？

在恢复这些问题之前，要先来看一看商场的 HBM 产能究竟有几许？以及商场需要几许的 HBM？

HBM，水火倒悬

家喻户晓，在HBM商场，主要有三大供应商，分辩为SK海力士、三星和好意思光。

从2026年HBM的产量来看，据分析师裸露：

SK 海力士已将 2025 年底月产能目的从 6.5 万片上调至 15 万片，并规画 2026 年进一步扩建。三星2025 年底 HBM 月产能预测达 15 万片晶圆，虽较此前规画下调，但仍在加快向博通、AWS 等客户供应 HBM3E 居品，2026 年出货量或年增 20%；好意思光2026 年底月产能预测达 9 万片，同期在好意思国加码 2000 亿好意思元投资，涵盖 HBM 封装才智。

也便是说，单单是SK海力士与三星这两家公司在2025年底的HBM月产能就达到30万片，而此前Exane BNP Paribas预测同期期的HBM月需求只是为16.8万片。不外，只是是来自商场的一则数据并无法阐明HBM商场将会迎来供过于求。

因为，跟着亚马逊、Meta 和谷歌等公司运营的 AI 模子专用定制半导体需求激增，ASIC 商场也迎来了快速增长。

三星电子、SK海力士和好意思光公司正在扩大面向ASIC诡计公司的HBM居品供应。上个月，好意思光公司在其事迹发布会上提到，除了英伟达和AMD除外，ASIC平台公司亦然HBM批量出货的四大主要客户。

而来自ASIC的商场需求数据，并未全面被沟通在内。因此，难以准确预测来岁的HBM商场供需状貌。

不外，半导体是一个周期性很强的产业，在“需求爆发、缺货加价、投资扩产”的上涨周期之后，频频跟班的便是“需求萎缩、产能饱和、价钱下落”的零落周期。HBM 算作半导体行业的紧迫品类，就怕也难以脱离这一周期，因此需求饱和的概率仍有较大可能发生。

退一步讲，倘若2026年的HBM商场当真出现供过于求的情况，那么将集聚拢在哪些HBM居品畛域，SK 海力士又是否会成为首个受到冲击的企业？

来自HBM商场的几则数据，一经指出HBM以前的发展标的。

HBM遇冷之际，谁发轫受到冲击？

对于发轫受到冲击的公司，笔者以为偶然是SK海力士。

凭证TrendForce的数据，SK海力士咫尺在HBM商场的占有率约为50%，远超三星电子（30%）和好意思光（20%）。

若仅看最新的HBM3E居品，SK海力士的市占率更是高达70%。

早在2024年Q2的事迹说明会上，SK海力士就曾提到其HBM3E居品2024年的出货量占比将跨越合座HBM出货量的50%，2025 年12层HBM3E的出货量将跨越8层HBM3E居品。

上述数据不错得出论断：8层和12层HBM3E是2025年HBM商场的主流居品，而SK海力士又是该居品的主要供应商。

本年3月，SK海力士首席奉行官郭鲁正就曾暗示该公司2025年的HBM居品毅然售罄。SK海力士还暗示订单能见度可达2026年一季度。

算作HBM的最主要客户之一，英伟达的GPU需求量一定程度上也会影响HBM的需求。

上文提到，SK海力士果真把持了英伟达的HBM订单，占据了80%-90%的份额。而三星的HBM3E居品一直未能得到英伟达的考据，其主要客户为AMD，此外三星为博通提供的8层堆叠HBM3E居品刚刚完成认证测试。

韩媒ZDNET Korea 报谈称，由于迟迟未得到英伟达的 HBM3E 12Hi 内存供开心可，三星电子已在二季度末将相关居品的晶圆投片量从此前的每月 7~8 万片裁减至 3~4 万片。

三星电子为在获取英伟达批准的第一时期就出货HBM3E 12Hi，从本年一季度末运行大幅提高了 HBM3E 12Hi 的出产范畴，但原规画 6 月完成的测试咫尺看来至少要拖到 9 月，此时裁减产能是为了幸免库存过多。

此外，由于HBM3E 到 HBM4 的世代轮流将从本年末启动，即使尔后奏凯得到了英伟达的许可，三星也可能在HBM3E 12Hi 上保抓较低的出产强度。

而SK海力士这边，则呈现另一番表象。

近日，好意思国对英伟达面向中国商场的AI芯片\"H20\"的出口料领路除。H20正本接管HBM3内存，但从本年起主要搭载SK海力士的HBM3E 8层居品。

出口料理一吊销，SK海力士便运行紧锣密饱读的增产。本周，SK海力士见告英伟达，将有限度地为H20供应迥殊的产能。SK海力士规画在本年第三季度前完成面向H20的HBM3E 8层居品量产。

上述一系列论断说明，倘若商场出现供过于求，算作HBM龙头企业的SK海力士大要并不是第一个受到冲击的对象，HBM2 等旧款居品可能发轫出现供应饱和，倘若库存消化不足时，三星也有可能先一步堕入逆境。

TrendForce此前曾经预测，受AI平台积极接管新一代 HBM 居品的影响，2025 年超 80% 的 HBM 需求将聚拢于 HBM3e 居品。其中，12hi 居品占比将超一半，成为下半年 AI 畛域主要厂商竞相订购的主流居品，8hi 居品需求次之。

因此，即便出现供过于求的情况，也更可能出当今 HBM2e、HBM3 等旧世代居品上。至于对各 DRAM 供应商的影响程度，则取决于它们各自的居品组合。

因此笔者的不雅点更倾向于另一所操办机构所言：瑞银暗示，跟着AI对计较的需求不时重塑内存状貌，HBM有望在2026年迎来冲破性的一年。

尽管短期内存商场存在一些杂音，尤其是围绕英伟达与SK海力士、三星和好意思光科技公司等高带宽内存供应商的谈判，但着实的故事正在酝酿中。

瑞银以为，SK海力士在英伟达的指点地位将得以保管，而谷歌、AWS和微软的ASIC部门最近赢得的诡计顺利标明，SK海力士将被锁定为该行业主要的HBM供应商。即使HBM商场竞争预测会加重，但在2026年底之前，这不太可能成为SK海力士的严重阻力。

HBM4，2026年的焦点之一

不成详情的是：HBM是否会在2026年迎来供应饱和。

但不错详情的是：2026年的对局将不限于HBM3E。

HBM4是来岁的一大看点。

SK海力士规画在本年下半年运行量产HBM4。

三星的HBM4居品程度也在近日迎来更新。据悉，三星已准备在本月底前向 AMD 和英伟达等客户提供 HBM4 样品。在此前HBM3系列居品研发程度中，三星可谓是连连受挫。因此，三星正卯足力气以期在HBM4的竞争中打赢这场翻身仗。

三星将接管10纳米级第六代DRAM工艺（1c）来开拓更精密、良率更高的HBM4，以转变SK海力士在HBM3E商场上的独家供应地位。凭证此前信息，三星规画在8月委派更高堆叠的HBM4 16Hi样品。这一系列动作标明，三星正在积极争取在HBM4商场中占据一隅之地。

本年6月，好意思光秘书已向多家主要客户送样其12层堆叠36GB HBM4内存。好意思光在HBM畛域的布局也娇傲出其积极追逐三星和SK海力士的意图。好意思光规画在2026年杀青HBM4的产能爬坡，以与客户的下一代AI平台量产节律保抓一致。

跟着这些存储原厂纷繁推动HBM4的研发和出产，预测将会对AI芯片存储商场产生首要影响。极端是对于英伟达等AI加快器制造商而言，HBM4的引入意味着更高的性能和后果，同期也可能带来资本上的竞争上风。

《经济日报》征引韩国分析师的话告诫称，当下一代 HBM4 在 2025 年上市时，SK 海力士的商场份额可能会萎缩。

具体的竞争情况，还要看各家HBM4居品参加量产哄骗的骨子发扬。

HBM，以前十年之争

HBM4的竞争，远远不是尽头。

日前韩国科学工夫院（KAIST）说明 Joungho Kim公布了2025 年到 2040 年 HBM 各代的工夫路子图。

HBM5将于2029年到来，KAIST 预测 HBM5 将不时使用微凸块工夫 （MR-MUF），尽管据报谈该行业一经在沟通与 HBM4 径直键合。此外，HBM5 还将在基础芯片上集成 L3 缓存、LPDDR 和 CXL 接口，以及热监控。KAIST 还预测 AI 器用将在 HBM5 一代运行在优化物理布局和减少抖动方面涌现作用。

HBM6将于2032年到来，其将接管主动/羼杂（硅+玻璃）中介层工夫，最大堆叠层数从HBM5的16层增至20层，单堆容量可达96-120 GB。

HBM7将于2035年到来，其将援救最高24层堆叠，容量达160-192 GB，带宽24 TBps，是HBM6的三倍。

HBM8将于2038年到来，其不异援救24层堆叠，带宽擢升至64 TBps，容量增至200-240 GB。HBM8的亮点是可能接管双面中介层诡计，一面安设HBM，另一面可安设HBM、LPDDR内存或HBF（高带宽闪存）。

从HBM4到HBM8，内存工夫持重验由“高速存储”向“内存即计较”的深远退换，3D集成、热处分、AI接济诡计与异构互联正在共同构建新一代高性能系统的中枢内存平台，HBM的发展还将进一步走向与光互联、片上收集（NoC）、存算交融等前沿工夫的相连。